Nd:YVO4 – Diodengepumpte Festkörperlaser
Produktbeschreibung
Nd:YVO4 kann mit dem Design von Nd:YVO4 und frequenzverdoppelnden Kristallen leistungsstarke und stabile IR-, grüne und blaue Laser erzeugen.Für Anwendungen, bei denen ein kompakteres Design und eine Single-Longitudinal-Mode-Ausgabe erforderlich sind, zeigt Nd:YVO4 seine besonderen Vorteile gegenüber anderen häufig verwendeten Laserkristallen.
Vorteile von Nd:YVO4
● Niedrige Laserschwelle und hohe Slope-Effizienz
● Großer stimulierter Emissionsquerschnitt bei der Laserwellenlänge
● Hohe Absorption über eine große Pumpwellenlängenbandbreite
● Optisch uniaxial und mit großer Doppelbrechung emittiert polarisierter Laser
● Geringe Abhängigkeit von der Pumpwellenlänge und Tendenz zur Singlemode-Ausgabe
Grundeigenschaften
| Atomdichte | ~1,37x1020 Atome/cm2 |
| Kristallstruktur | Zirkon tetragonal, Raumgruppe D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Dichte | 4,22 g/cm2 |
| Mohs-Härte | Glasartig, 4,6 ~ 5 |
| Wärmeausdehnung Koeffizient | αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K |
| Schmelzpunkt | 1810 ± 25℃ |
| Lasernde Wellenlängen | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Thermisch optisch Koeffizient | dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Stimulierte Emission Querschnitt | 25,0x10-19 cm2, @1064 nm |
| Fluoreszierend Lebensdauer | 90 ms (ca. 50 ms für 2 atm% Nd dotiert) @ 808 nm |
| Absorptionskoeffizient | 31,4 cm-1 bei 808 nm |
| Absorptionslänge | 0,32 mm bei 808 nm |
| Eigenverlust | Weniger 0,1 % cm-1 bei 1064 nm |
| Gewinnen Sie Bandbreite | 0,96 nm (257 GHz) bei 1064 nm |
| Polarisierter Laser Emission | parallel zur optischen Achse (c-Achse) |
| Diodengepumpt Optisch zu optisch Effizienz | > 60 % |
| Sellmeier-Gleichung (für reine YVO4-Kristalle) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Technische Parameter
| Nd-Dotierstoffkonzentration | 0,2 ~ 3 atm% |
| Dotierstofftoleranz | innerhalb von 10 % der Konzentration |
| Länge | 0,02 ~ 20 mm |
| Beschichtungsspezifikation | AR bei 1064 nm, R < 0,1 % und HT bei 808 nm, T > 95 % |
| HR bei 1064 nm, R > 99,8 % und HT bei 808 nm, T > 9 % | |
| HR bei 1064 nm, R > 99,8 %, HR bei 532 nm, R > 99 % und HT bei 808 nm, T > 95 % | |
| Orientierung | a-geschnittene Kristallrichtung (+/-5℃) |
| Maßtoleranz | +/-0,1 mm (typisch), hohe Präzision +/-0,005 mm ist auf Anfrage erhältlich. |
| Wellenfrontverzerrung | <λ/8 bei 633 nm |
| Oberflächenqualität | Besser als 20/10 Scratch/Dig gemäß MIL-O-1380A |
| Parallelität | < 10 Bogensekunden |
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