Nd:YVO4 – Diodengepumpte Festkörperlaser
Produktbeschreibung
Nd:YVO4 ermöglicht die Produktion leistungsstarker und stabiler IR-, Grün- und Blaulaser mit Nd:YVO4-Design und Frequenzverdopplerkristallen. Besonders bei Anwendungen, bei denen ein kompakteres Design und ein Single-Longitudinal-Mode-Ausgang erforderlich sind, zeigt Nd:YVO4 seine Vorteile gegenüber anderen gängigen Laserkristallen.
Vorteile von Nd:YVO4
● Niedrige Laserschwelle und hohe Steigungseffizienz
● Großer stimulierter Emissionsquerschnitt bei der Laserwellenlänge
● Hohe Absorption über eine große Pumpwellenlängenbandbreite
● Optisch uniaxial und große Doppelbrechung emittiert polarisierten Laser
● Geringe Abhängigkeit von der Pumpwellenlänge und tendenziell Singlemode-Ausgang
Grundlegende Eigenschaften
| Atomdichte | ~1,37 x 1020 Atome/cm2 |
| Kristallstruktur | Zirkon Tetragonal, Raumgruppe D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Dichte | 4,22 g/cm2 |
| Mohshärte | Glasartig, 4,6 ~ 5 |
| Wärmeausdehnung Koeffizient | αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K |
| Schmelzpunkt | 1810 ± 25℃ |
| Laserwellenlängen | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Thermisch Optisch Koeffizient | dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Stimulierte Emission Querschnitt | 25,0 x 10-19 cm2, bei 1064 nm |
| Fluoreszierend Lebensdauer | 90 ms (ca. 50 ms für 2 atm% Nd dotiert) @ 808 nm |
| Absorptionskoeffizient | 31,4 cm-1 bei 808 nm |
| Absorptionslänge | 0,32 mm bei 808 nm |
| Intrinsischer Verlust | Weniger als 0,1 % cm-1, @1064 nm |
| Bandbreite gewinnen | 0,96 nm (257 GHz) bei 1064 nm |
| Polarisierter Laser Emission | parallel zur optischen Achse (c-Achse) |
| Diodengepumpt Optisch zu Optisch Effizienz | > 60 % |
| Sellmeier-Gleichung (für reine YVO4-Kristalle) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Technische Parameter
| Nd-Dotierstoffkonzentration | 0,2 ~ 3 atm% |
| Dotierstofftoleranz | innerhalb von 10 % der Konzentration |
| Länge | 0,02 ~ 20 mm |
| Beschichtungsspezifikation | AR @ 1064 nm, R < 0,1 % und HT @ 808 nm, T > 95 % |
| HR @ 1064 nm, R > 99,8 % und HT @ 808 nm, T > 9 % | |
| HR @ 1064 nm, R>99,8 %, HR @ 532 nm, R>99 % & HT @ 808 nm, T>95 % | |
| Orientierung | a-Schnitt-Kristallrichtung (+/-5℃) |
| Maßtoleranz | +/-0,1 mm (typisch), hohe Präzision +/-0,005 mm ist auf Anfrage erhältlich. |
| Wellenfrontverzerrung | <λ/8 bei 633 nm |
| Oberflächenqualität | Besser als 20/10 Kratz-/Grabfestigkeit gemäß MIL-O-1380A |
| Parallelität | < 10 Bogensekunden |
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