ZnGeP2 – Eine nichtlineare Optik mit gesättigtem Infrarot
Produktbeschreibung
Aufgrund dieser einzigartigen Eigenschaften gilt es als eines der vielversprechendsten Materialien für nichtlineare optische Anwendungen. ZnGeP2 kann durch die Technologie der optischen parametrischen Oszillation (OPO) eine kontinuierlich abstimmbare Laserleistung von 3–5 μm erzeugen. Laser, die im atmosphärischen Transmissionsfenster von 3–5 μm arbeiten, sind für viele Anwendungen von großer Bedeutung, beispielsweise für Infrarot-Gegenmaßnahmen, chemische Überwachung, medizinische Geräte und Fernerkundung.
Wir können ZnGeP2 von hoher optischer Qualität mit einem extrem niedrigen Absorptionskoeffizienten α < 0,05 cm-1 (bei Pumpwellenlängen von 2,0–2,1 µm) anbieten, das zur Erzeugung abstimmbarer Laser im mittleren Infrarotbereich mit hoher Effizienz durch OPO- oder OPA-Prozesse verwendet werden kann.
Unsere Kapazität
Die dynamische Temperaturfeldtechnologie wurde entwickelt und zur Synthese von polykristallinem ZnGeP2 eingesetzt. Durch diese Technologie wurden in einem Durchgang mehr als 500 g hochreines polykristallines ZnGeP2 mit riesigen Körnern synthetisiert.
Die horizontale Gradientengefriermethode in Kombination mit der Directional Necking-Technologie (die die Versetzungsdichte effizient senken kann) wurde erfolgreich auf das Wachstum von hochwertigem ZnGeP2 angewendet.
Das hochwertige ZnGeP2 im Kilogrammbereich mit dem weltweit größten Durchmesser (Φ55 mm) wurde erfolgreich mit der Vertical Gradient Freeze-Methode gezüchtet.
Die Oberflächenrauheit und Ebenheit der Kristallvorrichtungen von weniger als 5 Å bzw. 1/8 λ wurden durch unsere Trap-Fine-Oberflächenbehandlungstechnologie erreicht.
Die endgültige Winkelabweichung der Kristallvorrichtungen beträgt aufgrund der Anwendung präziser Ausrichtung und präziser Schneidtechniken weniger als 0,1 Grad.
Die Geräte mit hervorragender Leistung wurden aufgrund der hohen Qualität der Kristalle und der hochentwickelten Kristallverarbeitungstechnologie erzielt (Der durchstimmbare 3–5 μm-Laser im mittleren Infrarotbereich wurde mit einem Umwandlungswirkungsgrad von mehr als 56 % erzeugt, wenn er mit einem 2 μm-Licht gepumpt wird Quelle).
Unsere Forschungsgruppe hat durch kontinuierliche Forschung und technische Innovation die Synthesetechnologie von hochreinem polykristallinem ZnGeP2, die Wachstumstechnologie von großformatigem und hochwertigem ZnGeP2 sowie die Kristallorientierung und hochpräzise Verarbeitungstechnologie erfolgreich gemeistert; kann ZnGeP2-Geräte und Originalkristalle im Massenmaßstab mit hoher Gleichmäßigkeit, niedrigem Absorptionskoeffizienten, guter Stabilität und hoher Umwandlungseffizienz bereitstellen. Gleichzeitig haben wir eine ganze Reihe von Plattformen für Kristallleistungstests eingerichtet, die es uns ermöglichen, unseren Kunden Dienste zur Kristallleistungsprüfung anzubieten.
Anwendungen
● Zweite, dritte und vierte harmonische Generation des CO2-Lasers
● Optische Parametererzeugung mit Pumpen bei einer Wellenlänge von 2,0 µm
● Zweite harmonische Generation des CO-Lasers
● Erzeugung kohärenter Strahlung im Submillimeterbereich von 70,0 µm bis 1000 µm
● Die Erzeugung kombinierter Frequenzen von CO2- und CO-Laserstrahlung und anderen Lasern arbeitet im Kristalltransparenzbereich.
Grundlegende Eigenschaften
Chemisch | ZnGeP2 |
Kristallsymmetrie und Klasse | tetragonal, -42m |
Gitterparameter | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
Dichte | 4,162 g/cm3 |
Mohs-Härte | 5.5 |
Optische Klasse | Positiv einachsig |
Benutzerfreundliche Übertragungsreichweite | 2,0 um - 10,0 um |
Wärmeleitfähigkeit @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
Wärmeausdehnung @ T = 293 K bis 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
Technische Parameter
Durchmessertoleranz | +0/-0,1 mm |
Längentoleranz | ±0,1 mm |
Orientierungstoleranz | <30 Bogenminuten |
Oberflächenqualität | 20-10 SD |
Ebenheit | <λ/4@632.8 nm |
Parallelität | <30 Bogensekunden |
Rechtwinkligkeit | <5 Bogenmin |
Fase | <0,1 mm x 45° |
Transparenzbereich | 0,75 - 12,0 µm |
Nichtlineare Koeffizienten | d36 = 68,9 pm/V (bei 10,6μm) d36 = 75,0 pm/V (bei 9,6 μm) |
Schadensschwelle | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |