Der Spektralbereich von InGaAs-Material beträgt 900–1700 nm und das Multiplikationsrauschen ist geringer als das von Germanium-Material. Es wird im Allgemeinen als Vervielfachungsbereich für Heterostrukturdioden verwendet. Das Material eignet sich für Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation und kommerzielle Produkte haben Geschwindigkeiten von 10 Gbit/s oder mehr erreicht.