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Produkte

Fotodetektor für Laser- und Speed-Ranging

Kurze Beschreibung:

Der Spektralbereich von InGaAs-Material liegt zwischen 900 und 1700 nm, und das Multiplikationsrauschen ist geringer als bei Germanium. Es wird üblicherweise als Multiplikationsbereich für Heterostrukturdioden verwendet. Das Material eignet sich für die Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation, und kommerzielle Produkte erreichen Geschwindigkeiten von 10 Gbit/s und mehr.


Produktdetail

Produkt Tags

  Aktiver Durchmesser (mm) Antwortspektrum (nm) Dunkelstrom (nA)  
XY052 0,8 400-1100 200 Herunterladen
XY053 0,8 400-1100 200 Herunterladen
XY062-1060-R5A 0,5 400-1100 200 Herunterladen
XY062-1060-R8A 0,8 400-1100 200 Herunterladen
XY062-1060-R8B 0,8 400-1100 200 Herunterladen
XY063-1060-R8A 0,8 400-1100 200 Herunterladen
XY063-1060-R8B 0,8 400-1100 200 Herunterladen
XY032 0,8 400-850-1100 3-25 Herunterladen
XY033 0,23 400-850-1100 0,5-1,5 Herunterladen
XY035 0,5 400-850-1100 0,5-1,5 Herunterladen
XY062-1550-R2A 0,2 900-1700 10 Herunterladen
XY062-1550-R5A 0,5 900-1700 20 Herunterladen
XY063-1550-R2A 0,2 900-1700 10 Herunterladen
XY063-1550-R5A 0,5 900-1700 20 Herunterladen
XY062-1550-P2B 0,2 900-1700 2 Herunterladen
XY062-1550-P5B 0,5 900-1700 2 Herunterladen
XY3120 0,2 950-1700 8.00-50.00 Herunterladen
XY3108 0,08 1200-1600 16.00-50.00 Herunterladen
XY3010 1 900-1700 0,5-2,5 Herunterladen
XY3008 0,08 1100-1680 0,40 Herunterladen

XY062-1550-R2A (XIA2A) InGaAs-Fotodetektor

160249469232544444
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XY062-1550-R5A InGaAs APD

186691281258714488
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XY063-1550-R2A InGaAs APD

160249469232544444
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XY063-1550-R5A InGaAs APD

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XY3108 InGaAs-APD

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XY3120 (IA2-1) InGaAs APD

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Produktbeschreibung

Derzeit gibt es hauptsächlich drei Avalanche-Unterdrückungsmodi für InGaAs-APDs: passive Unterdrückung, aktive Unterdrückung und Gated-Detektion. Passive Unterdrückung erhöht die Totzeit von Avalanche-Photodioden und reduziert die maximale Zählrate des Detektors erheblich, während aktive Unterdrückung aufgrund der komplexen Unterdrückungsschaltung und der Emissionsneigung der Signalkaskade zu aufwändig ist. Der Gated-Detektionsmodus wird derzeit bei der Einzelphotonendetektion eingesetzt und ist am weitesten verbreitet.

Die Einzelphotonendetektionstechnologie kann die Genauigkeit und Detektionseffizienz des Systems effektiv verbessern. In weltraumgestützten Laserkommunikationssystemen ist die Intensität des einfallenden Lichtfeldes sehr schwach und erreicht fast das Photonenniveau. Das vom herkömmlichen Fotodetektor erfasste Signal wird zu diesem Zeitpunkt durch Rauschen gestört oder sogar übertönt. Die Einzelphotonendetektionstechnologie hingegen misst dieses extrem schwache Lichtsignal. Die auf getriggerten InGaAs-Lawinenphotodioden basierende Einzelphotonendetektionstechnologie zeichnet sich durch eine geringe Nachimpulswahrscheinlichkeit, geringes Zeitjitter und eine hohe Zählrate aus.

Aufgrund ihrer Präzision und Schnelligkeit sowie der kontinuierlichen Weiterentwicklung der optoelektronischen Technologie spielt die Laser-Entfernungsmessung in vielen Bereichen eine wichtige Rolle, beispielsweise in der industriellen Steuerung, der militärischen Fernerkundung und der optischen Weltraumkommunikation. Neben der herkömmlichen Impuls-Entfernungsmessung werden ständig neue Lösungen entwickelt, wie beispielsweise die Einzelphotonen-Erkennungstechnologie auf Basis eines Photonenzählsystems, das die Erkennungseffizienz eines Einzelphotonensignals verbessert und Rauschen unterdrückt, um die Entfernungsgenauigkeit des Systems zu verbessern. Bei der Einzelphotonen-Entfernungsmessung bestimmen der Zeitjitter des Einzelphotonendetektors und die Laserimpulsbreite die Genauigkeit des Entfernungsmesssystems. In den letzten Jahren haben sich Hochleistungs-Pikosekundenlaser rasant weiterentwickelt, sodass der Zeitjitter von Einzelphotonendetektoren zu einem großen Problem geworden ist, das die Auflösungsgenauigkeit von Einzelphotonen-Entfernungsmesssystemen beeinträchtigt.

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062.R5A

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