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Fotodetektor für Laser- und Speed-Ranging
Der Spektralbereich von InGaAs-Material liegt zwischen 900 und 1700 nm, und das Multiplikationsrauschen ist geringer als bei Germanium. Es wird üblicherweise als Multiplikationsbereich für Heterostrukturdioden verwendet. Das Material eignet sich für die Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation, und kommerzielle Produkte erreichen Geschwindigkeiten von 10 Gbit/s und mehr.
Produkte
Si&InGaAs, PIN&APD, Wellenlänge: 400–1100 nm, 900–1700 nm. (Geeignet für Laserentfernungsmessung, Geschwindigkeitsmessung, Winkelmessung, fotoelektrische Erkennung und fotoelektrische Gegenmaßnahmesysteme.)