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Fotodetektor für Laser-Ranging und Speed-Ranging
Der Spektralbereich von InGaAs-Material beträgt 900–1700 nm und das Multiplikationsrauschen ist geringer als das von Germanium-Material. Es wird im Allgemeinen als Vervielfachungsbereich für Heterostrukturdioden verwendet. Das Material eignet sich für Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation und kommerzielle Produkte haben Geschwindigkeiten von 10 Gbit/s oder mehr erreicht.
Produkte
Si&InGaAs, PIN&APD, Wellenlänge: 400–1100 nm, 900–1700 nm. (Geeignet für Laserentfernungsmessung, Geschwindigkeitsmessung, Winkelmessung, fotoelektrische Erkennung und fotoelektrische Gegenmaßnahmensysteme.)